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APTM50HM75STG是MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4，包括散装封装，它们设计为与SP4封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP4中工作，以及4 N沟道（H桥）FET类型，该设备也可以用作357W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件以5600pF@25V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为46A，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@23A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg Vgs为123nC@10V。
带有Microsemi制造的用户指南的APTM50SKM17G。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道500V 180A（Tc）1250W（Tc）底盘安装SP6。
APTM50SKM19G，带有Microsemi制造的电路图。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道500V 163A（Tc）1136W（Tc）底盘安装SP6。
