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MMUN2217LT1G

  • 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.08246 1.08246
10+ 1.00308 10.03080
100+ 0.54700 54.70030
500+ 0.33657 168.28650
1000+ 0.22948 229.48200
3000+ 0.19505 585.17700
6000+ 0.17593 1055.61600
15000+ 0.15298 2294.82000
30000+ 0.13768 4130.67000
75000+ 0.12628 9471.52500
  • 库存: 30679
  • 单价: ¥1.08246
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.08
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN-预偏置
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 发射极电阻 (R2) 10千欧姆
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 基极电阻 (R1) 4.7 kOhms
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 特征频率 -
  • 最大功率 246毫瓦
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@1毫安,10毫安
  • 最小直流增益 35 @ 5毫安, 10V

MMUN2217LT1G 产品详情

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管;串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中,从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。

特色

  • 简化电路设计
  • 减少板空间
  • 减少组件数量
  • 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AECQ101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR,符合RoHS标准
MMUN2217LT1G所属分类:单个预偏置双极晶体管,MMUN2217LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMUN2217LT1G价格参考¥1.082460,你可以下载 MMUN2217LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMUN2217LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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