特色
- 超紧凑型复合双极晶体管
- 用于前置放大器
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
IMZ1AS-AU_S1_000A1
- 描述:晶体管类别: NPN、PNP互补 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 强茂 (Panjit)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.33173 | 3.33173 |
| 10+ | 2.45534 | 24.55343 |
| 100+ | 1.39136 | 139.13610 |
| 500+ | 0.92129 | 460.64850 |
| 1000+ | 0.70632 | 706.32800 |
| 3000+ | 0.61419 | 1842.59400 |
| 6000+ | 0.55277 | 3316.66800 |
| 15000+ | 0.49135 | 7370.37000 |
| 30000+ | 0.46064 | 13819.44000 |
| 75000+ | 0.43457 | 32593.05000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.33173
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.33
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 最大功率 300mW
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 60V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 包装/外壳 SOT-23-6
- 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 5毫安, 50毫安, 500mV @ 5毫安, 50毫安
- 最小直流增益 120@1毫安，6V
- 特征频率 180MHz、140MHz
- 供应商设备包装 SOT-23-6
- 制造厂商 强茂 (Panjit)
- 晶体管类别 NPN、PNP互补
IMZ1AS-AU_S1_000A1 产品详情
集成两个晶体管的器件以超紧凑封装形式提供，适用于各种应用，如前置放大器差分放大电路、高频振荡器、驱动器IC等。
IMZ1AS-AU_S1_000A1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IMZ4T108 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 32伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.11468 |
 | IMZ1AT108 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.21801 |
| IMZ2A_R1_00001 | 强茂 (Panjit) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.53502 |
| IMZ1AS_S1_00001 | 强茂 (Panjit) | 晶体管类别: NPN、PNP互补 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.7523 |
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | 强茂 (Panjit) | 晶体管类别: NPN、PNP互补 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | IMZ2AT108 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | IMZA65R027M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥158.90488 |
 | IMZ120R350M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-4-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥41.88931 |
| IMZ1AFRAT108 | 罗姆 (Rohm) | ¥0.47731 | |
| IMZ120R045M1 | 英飞凌 (Infineon) | -- | ¥226.96042 |
IMZ1AS-AU_S1_000A1所属分类：双极性晶体管阵列，IMZ1AS-AU_S1_000A1 由 强茂 (Panjit) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IMZ1AS-AU_S1_000A1价格参考￥3.331734，你可以下载 IMZ1AS-AU_S1_000A1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IMZ1AS-AU_S1_000A1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
强茂 (Panjit)
PANJIT成立于1986年，生产齐纳二极管、表面安装整流器、玻璃钝化整流器芯片、玻璃钝化结整流器、塑料钝化结整流器、瞬态电压抑制器、半导体和相关产品。近年来，PANJIT扩大了产品范围，于2015年推...
