9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5330DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5330DW1T1G参考价格为0.11777美元。onsemi SMUN5330DW1T1G包装/规格：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363。您可以下载SMUN5330DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5314DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，功率最大设计为187mW，以及1 NPN，1 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该器件也可以用作100mA集流器Ic Max。此外，集流器-发射极击穿最大值为50V，该器件提供10k电阻基极R1欧姆，该器件具有47k电阻发射极基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电极截止电流最大值为500nA。
SMUN5315DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，系列设计用于MUN5315DW1，以及47k电阻发射极基极R2欧姆，该器件也可以用作10k电阻基极R1欧姆。此外，最大功率为187mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型为表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止电流最大值为500nA。
带有电路图的SMUN5313DW1T3G，包括500nA集电器最大截止电流，其设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA，10V，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP，SC-88，SOT-363，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作187mW的最大功率。此外，电阻基极R1欧姆为47k，该器件提供47k电阻发射极基极R2欧姆，该器件具有MUN5313DW1系列，供应商器件封装为SOT-363，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@300μa，10mA，并且电压集电极-发射极击穿最大值为50V。
