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STY60NM50是MOSFET N-CH 500V 60A MAX247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有560 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，下降时间为46 ns，上升时间为58 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为60 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极电阻为50mOhms，晶体管极性为N沟道，典型导通延迟时间为51ns，沟道模式为增强型。
STY60NM60是MOSFET N-CH 600V 60A MAX247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间特性，如55 ns，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为N通道MDmesh，器件的上升时间为95 ns，器件的漏极-源极电阻为50 mOhms，Pd功耗为560 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-65 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为60 A，下降时间为76 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STY80NM60N是由ST制造的“MOSFET N沟道600 V”。STY80NM60N可在Max247封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET N-沟道600伏、N沟道600V 74A（Tc）447W（Tc）通孔Max247”？，Trans MOSFET N-CH 600V 74A 3引脚（3+Tab）Max247管，MOSFET N沟道600 V，74A Power II Mdmesh。
STYN1640，带有SIRE制造的EDA/CAD模型。STYN1640采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
