9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V1P6HM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V1P6HM3/H参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V1P6HM3/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP。您可以下载V1P6HM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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V12P10HM3/86A是肖特基二极管和整流器12安培100伏，包括V12Pxx系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如V12P10HM3_a/H，单位重量设计为0.003527盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TMBS商标名。此外，封装外壳为SMPC（TO-277A），该器件采用Si技术，该器件具有单双阳极配置，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为0.7V，Ir反向电流为250uA，如果正向电流为12A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为200A。
V12P10HE3/86A是DIODE SCHOTKY 100V 12A TO277A，包括700mV@12A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR、TMBSR、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@100V，电流平均整流Io为12A。
V12P10HE3/87A是二极管肖特基100V 12A TO277A，包括12A电流平均整流Io，设计用于在250μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列是eSMPR、TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为700mV@12A。
V12P10-E3/87A是DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A，包括TO-277A（SMPC）供应商设备包，它们设计为与TO-277、3功率DFN封装盒一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供肖特基等二极管类型功能，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及eSMPR、TMBSR系列，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，正向电压Vf Max If为700mV@12A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，器件具有250μa@100V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为12A，直流反向电压Vr Max为100V。
