9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAQ134-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAQ134-GS18参考价格为0.05280美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAQ134-GS18封装/规格：DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80。您可以下载BAQ134-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAQ133-GS08是DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于SOD-80变体包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOD-80 QuadroMELF，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可用作1nA@15V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供30V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，电容Vr F为3pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BAQ133-GS18是DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 QuadroMELF的供应商设备包，其提供速度特性，如小信号=，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，以及SOD-80变型封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有1nA@15V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为3pF@0V，1MHz。
BAQ134-GS08是DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80，包括3pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1nA@30V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可以用作SOD-80变型封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以小信号=速度提供，该设备具有SOD-80 QuadroMELF供应商设备包装，直流反向电压Vr最大值为60V，正向电压Vf最大值为1V@100mA。
