9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1D-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1D-E3/5AT参考价格为0.39000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1D-E3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载S1D-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1DBTR带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-214AA、SMB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SMB（DO-214AB），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
S1D-E3，带有VISHAY制造的用户指南。S1D-E3采用SMADO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
S1D-E3/11T，带有VISHAY制造的电路图。S1D-E3/11T采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
