9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1DL R3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1DL R3G参考价格为2.09美元。台湾半导体公司S1DL R3G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA。您可以下载S1DL R3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1DHE3_A/H，带有引脚细节，包括S1D系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A C（SMA），以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S1DHE3_A/I，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于S1D，以及1.8μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1DHE3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
