SQD30N05-20L-GE3
- 描述:--
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.88668 | 6.88668 |
| 30+ | 6.04094 | 181.22844 |
| 100+ | 5.29907 | 529.90720 |
| 500+ | 4.48520 | 2242.60100 |
| 1000+ | 4.07747 | 4077.47000 |
- 库存: 4000
- 单价: ¥6.88668
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.89
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SQD30N05-20L-GE3 产品详情
RFFETMOSFET
SQD30N05-20L-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQD50N06-09L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.09765 |
 | SQD100N02-3M5L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 |
 | SQD50P04-09L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.09085 |
 | SQD50P06-15L_GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66781 |
 | SQD50P04-13L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.09085 |
 | SQD50N04-5M6_T4GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.67508 |
| SQD40P10-40L | ¥3.75907 | ||
| SQD70140EL | ¥4.16901 | ||
| SQD19P06-60L | -- | ¥4.70434 | |
| SQD30N05-20L-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | -- | ¥6.88668 |
SQD30N05-20L-GE3所属分类：音频产品，SQD30N05-20L-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQD30N05-20L-GE3价格参考￥6.886680，你可以下载 SQD30N05-20L-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQD30N05-20L-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
