W947D2HKZ-6G
- 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
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- Technology -
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- Memory Organization -
- Memory Interface -
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- Write Cycle Time - Word, Page -
- Access Time -
- Voltage - Supply -
- Operating Temperature -
- Mounting Type -
- Package / Case -
- Supplier Device Package -
W947D2HKZ-6G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | W94AD6KBHX5I | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥38.88089 |
| W948D6FKB-6G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA | ¥0.00 | |
| W947D2HKZ-6G TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA | ¥0.00 | |
| W948D2FKA-5G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA | ¥0.00 | |
| W948D2FKA-5G | IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA | ¥0.00 | |
| W947D6HKB-5J TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA | ¥0.00 | |
| W947D2HKZ-6G | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA | ¥0.00 | |
| W947D6HKB-5J | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA | ¥0.00 | |
| W947D2HKZ-5J TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA | ¥0.00 | |
| W948D6FBHX6I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60VFBGA | ¥0.00 |
W947D2HKZ-6G所属分类：存储器，W947D2HKZ-6G 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。W947D2HKZ-6G价格参考￥，你可以下载 W947D2HKZ-6G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询W947D2HKZ-6G规格参数、现货库存、封装信息等信息！