 | NHUMB13X | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.48209 |
 | NHUMB11X | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.48209 |
 | NHUMD9X | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.35628 |
 | NHUMH9F | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥2.60744 |
 | NHUMH13F | 安世 (Nexperia) | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥7.64037 |
 | NHUMB1F | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 235mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥2.7523 |
 | NHUMB1X | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 235mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥2.7523 |
 | NHUSBAAB | | NH SERIES NARROW MODULAR PANEL C | ¥0.00 |
 | NHUSB3AAB | | NH SERIES NARROW MODULAR PANEL C | ¥0.00 |
 | NHUSBBAB | | NH SERIES NARROW MODULAR PANEL C | ¥0.00 |