 | DI108S_T0_00001 | 强茂 (Panjit) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: 4-SDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 |
 | DI110N15PQ | 德欧泰克半导体 (Diotec) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.67944 |
 | DI110N03PQ | 德欧泰克半导体 (Diotec) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.33849 |
 | DI150N03PQ | 德欧泰克半导体 (Diotec) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.33849 |
 | DI100N10PQ | 德欧泰克半导体 (Diotec) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.33561 |
 | DI1010S_R2_00001 | | 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A | ¥0.8954 |
 | DI156 | | 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):50A | ¥1.18841 |
 | DI1510S_R1_00001 | | 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):50A | ¥1.01049 |
 | DI156S_R2_00001 | | 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):50A | ¥1.28656 |
 | DI156S_R2_10001 | | 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):50A | ¥1.19903 |