LDTB123YLT1G
- 描述:晶体管类型：PNP 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：56@50mA,5V
- 品牌: 乐山无线电 (LRC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.22864 | 0.22864 |
| 10+ | 0.18448 | 1.84484 |
| 30+ | 0.15995 | 4.79856 |
| 150+ | 0.14523 | 21.78525 |
| 450+ | 0.13247 | 59.61285 |
| 1050+ | 0.12560 | 131.88630 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.22864
-
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- +
- 总计: ¥0.23
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 功率(Pd) 200mW
- 集电极电流(Ic) 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo) 50V
- 集电极截止电流(Icbo) -
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) -
- 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) 2V@20mA,300mV
- 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) 300mV@100uA,5V
- 输出电压(VO(on)@Io/Ii) 100mV@5mA,2.5mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 56@50mA,5V
- 输入电阻 2.2kΩ
- 电阻比率 4.5
- 特征频率(fT) 200MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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LDTB123YLT1G所属分类：预偏置双极晶体管阵列，LDTB123YLT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LDTB123YLT1G价格参考￥0.228644，你可以下载 LDTB123YLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LDTB123YLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
乐山无线电 (LRC)
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