SS8050W Y1
- 描述:Y1(Y1表示丝印)
- 品牌: 创基 (CBI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.13715 | 0.13715 |
| 10+ | 0.10877 | 1.08774 |
| 30+ | 0.09300 | 2.79018 |
| 150+ | 0.08197 | 12.29625 |
| 450+ | 0.07377 | 33.19920 |
| 1050+ | 0.06936 | 72.83325 |
- 库存: 11320
- 单价: ¥0.13715
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.14
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规格参数
- 晶体管类型 -
- 集射极击穿电压(Vceo) -
- 集电极电流(Ic) -
- 功率(Pd) -
- 集电极截止电流(Icbo) -
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) -
- 特征频率(fT) -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| SS8550 Y2 | 创基 (CBI) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V Y2 200-350 | ¥0.09963 |
| SS8050 | 伯恩半导体 (BORN) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V H档（200-350） | ¥0.10068 |
| SS8050 Y1 | 创基 (CBI) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V Y1(Y1表示丝印) SOT-23 | ¥0.08268 |
| SS8550 | 固得沃克 (GOODWORK) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW SOT-23 | ¥0.03694 |
| SS8050W Y1 | 创基 (CBI) | Y1(Y1表示丝印) | ¥0.13715 |
创基 (CBI)
香港创基电子科技有限公司（原公司名称为”香港创基 国际企业有限公司” 成立于2014 年 8月） ,位于香港荃湾 海盛路 3 号TML广场，主要业务销售「CBI」品牌全系列产 品及代加工二、三极管分流器...