AIGW50N65H5
- 描述:功率(Pd)：270W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：83A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 65.71557 | 65.71557 |
| 200+ | 25.43286 | 5086.57280 |
| 500+ | 24.53956 | 12269.78050 |
| 1000+ | 24.09816 | 24098.16400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥65.71558
-
数量:
- +
- 总计: ¥65.72
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规格参数
- IGBT类型 -
- 功率(Pd) 270W
- 集射极击穿电压(Vces) 650V
- 集电极电流(Ic) 83A
- 集电极脉冲电流(Icm) 150A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 40uA@650V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.66V@50A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 4V@500uA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 116nC@50A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 2.8nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 21ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 173ns
- 导通损耗(Eon) 0.45mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.16mJ
- 正向压降(Vf@If) -
- 反向恢复时间(Trr) -
- 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
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AIGW50N65H5所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），AIGW50N65H5 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AIGW50N65H5价格参考￥65.715578，你可以下载 AIGW50N65H5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AIGW50N65H5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
