HD50N06D
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,15A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.35508 | 1.35508 |
| 10+ | 1.08142 | 10.81423 |
| 30+ | 0.96413 | 28.92417 |
| 100+ | 0.81773 | 81.77380 |
| 500+ | 0.75258 | 376.29050 |
| 1000+ | 0.71348 | 713.48400 |
- 库存: 10215
- 单价: ¥1.35509
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.36
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 50A
- 功率(Pd) 100W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 15mΩ@10V,15A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 40nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 1.6nF@20V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 90pF@20V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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HD50N06D所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HD50N06D 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。HD50N06D价格参考￥1.355089，你可以下载 HD50N06D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HD50N06D规格参数、现货库存、封装信息等信息！