HSU60P02
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@4.5V,15A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.77126 | 1.77126 |
| 10+ | 1.44462 | 14.44625 |
| 30+ | 1.30464 | 39.13926 |
| 100+ | 1.13008 | 113.00810 |
| 500+ | 1.05231 | 526.15700 |
- 库存: 3985
- 单价: ¥1.77127
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.77
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 60A
- 功率(Pd) 70W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@4.5V,15A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
HSU60P02 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HSU4103 | 华朔 (HUASHUO) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：27A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,8A | ¥1.49245 |
| HSU60P02 | 华朔 (HUASHUO) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@4.5V,15A | ¥1.77127 |
| HSU0139 | 华朔 (HUASHUO) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,10A | ¥3.96206 |
| HSU100P04 | 华朔 (HUASHUO) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A | ¥5.24422 |
 | HSU-CHM-01A | 北陆电气 (HDK) | 暂无 | ¥9.66869 |
| HSU-07F | 广州海谷 (HAIGU) | 暂无 | ¥11.10849 |
| HSU-08F | 广州海谷 (HAIGU) | 暂无 | ¥10.71964 |
 | HSUL8712 | 华朔 (HUASHUO) | 暂无 | ¥1.18768 |
| HSU-3 | 5-900 MHz 3-WAY SPLITTER;CATV | ¥0.00 | |
| HSU6115 | 华朔 (HUASHUO) | HSU6115 | ¥1.85252 |
HSU60P02所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HSU60P02 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HSU60P02价格参考￥1.771266，你可以下载 HSU60P02中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HSU60P02规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列Power Mosfet分立器件，...
