WNM2030-3/TR
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：880mA 功率(Pd)：370mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@4.5V,550mA
- 品牌: 韦尔 (WILLSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.33945 | 0.33945 |
| 10+ | 0.27903 | 2.79038 |
| 30+ | 0.23522 | 7.05687 |
| 100+ | 0.19910 | 19.91000 |
| 500+ | 0.19293 | 96.46700 |
- 库存: 9690
- 单价: ¥0.33946
-
数量:
- +
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 880mA
- 功率(Pd) 370mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 310mΩ@4.5V,550mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | WNM6002-3/TR | 韦尔 (WILLSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：370mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,370mA | ¥0.2191 |
 | WNM2020-3/TR | 韦尔 (WILLSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 功率(Pd)：320mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@4.5V,550mA | ¥0.35173 |
| WNM2021 | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.35154 |
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 | WNM4002-3/TR | 韦尔 (WILLSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：250mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@4.5V,350mA | ¥0.23759 |
| WNM2030-3/TR | 韦尔 (WILLSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：880mA 功率(Pd)：370mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@4.5V,550mA | ¥0.33946 |
 | WNM2046B-3/TR | 韦尔 (WILLSEMI) | 暂无 | ¥0.31106 |
 | WNM4153 | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.3638 |
 | WNM3003-3/TR | 韦尔 (WILLSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,2.5A | ¥0.68399 |
WNM2030-3/TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，WNM2030-3/TR 由 韦尔 (WILLSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。WNM2030-3/TR价格参考￥0.339455，你可以下载 WNM2030-3/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询WNM2030-3/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
韦尔 (WILLSEMI)
上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，公司成立于2007年5月，总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，在深圳、台湾、香港等地设立办事处。
