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XPT™ IXYS的一系列分立IGBT采用极轻穿透薄晶圆技术，从而降低热阻和能量损耗。这些器件提供了低尾电流的快速切换时间，并提供了各种行业标准和专有封装。
高功率密度和低VCE（sat）
方形反向偏置安全工作区（RBSOA），达到额定击穿电压
10usec的短路能力
正导通状态电压温度系数
可选共包装Sonic FRD™ 或HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高压组件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXA16-HBFF12-12.288MHZ | 伊尔西 (ILSI) | 种类: MHz晶体 频率: 12.288兆赫 负载电容值: 12皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥5.12364 |
 | IXA16-HBFF12-30.000MHZ | 伊尔西 (ILSI) | 种类: MHz晶体 频率: 30兆赫 负载电容值: 12皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥5.12364 |
 | IXA16-HBFF12-16.000MHZ | 伊尔西 (ILSI) | 种类: MHz晶体 频率: 16兆赫 负载电容值: 12皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥5.12364 |
 | IXA16-HBFF12-27.000MHZ | 伊尔西 (ILSI) | 种类: MHz晶体 频率: 27兆赫 负载电容值: 12皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥5.12364 |
 | IXA16-HBFF12-26.000MHZ | 伊尔西 (ILSI) | 种类: MHz晶体 频率: 26兆赫 负载电容值: 12皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥5.12364 |
| IXA17IF1200HJ | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 28A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: 等值线247 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.05074 |
 | IXA18-FBFF8-10.000 MHZ | CRYSTAL 10.0000MHZ 8PF SMD | ¥0.00 | |
| IXA16-HF5F12-12.000 MHZ | CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD | ¥0.00 | |
| IXA18-FBFF8-8.000 MHZ | CRYSTAL 8.0000MHZ 8PF SMD | ¥0.00 | |
| IXA16-HBFF12-20.000 MHZ | CRYSTAL 20.0000MHZ 12PF SMD | ¥0.00 |
从消费电子产品到汽车和工业设施，Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合，在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收...
