600 V,20 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO-247封装中的全额定续流二极管共同封装,由于沟槽单元和场阻概念的结合,导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷,达到了最高效率。
特色
- 降低传导损耗的最低VCEsat压降
 - 低开关损耗
 - 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
 - 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
 - 高强度,温度稳定
 - 低EMI发射
 - 低栅极电荷
 - 非常紧密的参数分布
 - 最高效率–低传导和开关损耗
 - 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
 - 设备可靠性高
 
应用
- 工业加热和焊接
 - 太阳能系统解决方案
 - 不间断电源(UPS)
 - 房间空调器
 - 电机控制和驱动
 

















