RH6L040BGTB1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥13.55179
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.55
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大功耗 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.8 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1320 pF@30 V
- 供应商设备包装 8-HSMT (3.2x3)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| RH6L040BGTB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.55179 |
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RH6L040BGTB1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RH6L040BGTB1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RH6L040BGTB1价格参考￥13.551792，你可以下载 RH6L040BGTB1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RH6L040BGTB1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
