起订量: 2236
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
NPN硅锗微波晶体管，用于再生障碍、4针双发射极SOT343F封装中的高速、低噪声应用。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFU520AR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) | ¥2.192 |
 | BFU630F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥4.54413 |
 | BFU550XRR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R | ¥1.19229 |
 | BFU520WF | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.65759 |
 | BFU610F,115 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安 集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦 特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP | ¥3.02942 |
 | BFU520YX | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: 2 NPN（双） 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥5.1597 |
 | BFU530XAR | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B | ¥2.88516 |
| BFU768F,115 | BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G | ¥0.96768 | |
| BFU550WF | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥1.21595 | |
| BFU550WX | BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R | ¥2.11691 |