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Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FM2DZ77P4101MLF | ASSEMBLY | ¥624.11781 | |
| FM2DZ77P4102MLF | ASSEMBLY | ¥472.28627 | |
| FM2DZ77P4103MLF | ASSEMBLY | ¥105.21457 | |
| FM2DZ77P4105MLF | ASSEMBLY | ¥235.95055 | |
| FM2DZ77P4110MLF | ASSEMBLY | ¥367.41791 | |
| FM2DZ77P4115MLF | ASSEMBLY | ¥582.69557 | |
| FM2DZ77P4120MLF | ASSEMBLY | ¥155.27787 | |
 | FM2032-51 | 白光 (American Hakko) | HANDPIECE ONLY | ¥856.604 |
| FM25V02A-G | 英飞凌 (Infineon) | CUSTOM REEL - FM25V02A-G | ¥0.8843 |
 | FM20C05VBDN00G7 | 迈志 (METZ) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Female Socket 针位数: ten 配接间距: 0.079英寸（2.00毫米） 安装类别: 表面安装 | ¥8.29484 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
