Infineon Technologies LV N沟道通用MOSFET(≤100伏至300伏）
英飞凌科技的低压N沟道MOSFET非常适合广泛的应用
英飞凌的通用功率MOSFET有多种封装，如SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252（DPAK）、SOT-223和TO-220（FullPAK、FullPAK窄引线）等。英飞凌致力于提供满足任何设计、定价和物流要求的功率MOSFET。他们通过选择高达300V的低功率MOSFET组合实现了这一承诺。
资源
- 用功率MOSFET设计-应用说明
利益
- 灵活使用
- 竞争性定价
- 易于设计
- 方便选择和购买
- 质量和供应稳定性
应用
- SMPS公司
- 充电器和适配器
- 照明
- 服务器/电信
- 电视电源
- 电池供电应用
- 电机控制和驱动
- 电池管理系统
N-Channel MOSFETs
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 库存 | 操作 |
 | IPP050N10NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.4A（Ta）、110A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 90 | 查看详情 |
 | IPP019N08NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 191A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 250W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 100 | 查看详情 |
 | ISZ040N03L5ISATMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、37W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 50 | 查看详情 |
| IPP082N10NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、77A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 10 | 查看详情 |
| IPP055N08NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A（Ta），99A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 5 | 查看详情 |
 | ISC045N03L5SATMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、30W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 4384 | 查看详情 |
| IPP040N08NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、115A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 13 | 查看详情 |
 | ISC037N03L5ISATMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、37W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 10 | 查看详情 |
| IPA082N10NF2SXKSA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 28 | 查看详情 |
| IPP129N10NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、52A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 71W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 44 | 查看详情 |
 | ISC019N03L5SATMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 58 | 查看详情 |
 | 2N7002H6327XTSA2 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 5784 | 查看详情 |
 | IPP016N08NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 196A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 210 | 查看详情 |
 | IPP026N10NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、184A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 250W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 741 | 查看详情 |
 | IRLB8748PBF | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 92A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 98 | 查看详情 |
 | IRLML0030TRPBF | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 15554 | 查看详情 |
 | IPA030N10NF2SXKSA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 41W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 330 | 查看详情 |
 | IRLB8743PBF | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 71 | 查看详情 |
 | IRFHM830TRPBF | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、37W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | 14 | 查看详情 |
| IPP024N08NF2SAKMA1 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、182A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 214W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | 20 | 查看详情 |