
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
标称齐纳电压 (Vz): 20伏 最大功率: 200毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-323   | ¥0.11734  | 50 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.11734  | 立即购买  加入购物车  | ||
标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 200毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-323   | ¥0.08257  | 10 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.08257  | 立即购买  加入购物车  | ||
标称齐纳电压 (Vz): 18伏 最大功率: 200毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-323   | ¥0.09126  | 10 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.09126  | 立即购买  加入购物车  | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 65 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)   | ¥0.07115  | 12600 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥2.13441  | 立即购买  加入购物车  | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 65 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)   | ¥0.04273  | 360 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥1.28199  | 立即购买  加入购物车  | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3   | ¥0.03477  | 490 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥521.49000  | 立即购买  加入购物车  | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)   | ¥0.06650  | 12600 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥997.56000  | 立即购买  加入购物车  | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 380毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)   | ¥0.03694  | 500 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥554.08500  | 立即购买  加入购物车  | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)   | ¥0.25097  | 25280 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.25097  | 立即购买  加入购物车  | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,4.3A   | ¥0.38966  | 11980 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.38966  | 立即购买  加入购物车  | ||
类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4V,5A   | ¥0.32584  | 23000 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.32584  | 立即购买  加入购物车  | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,3.7A   | ¥0.47369  | 10 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.47369  | 立即购买  加入购物车  | ||
类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,7A   | ¥0.52813  | 27495 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.52813  | 立即购买  加入购物车  | ||
暂无   | ¥0.43275  | 7930 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.43275  | 立即购买  加入购物车  | ||
直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A   | ¥0.04316  | 123300 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.04316  | 立即购买  加入购物车  | ||
暂无   | ¥0.07318  | 17600 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.07318  | 立即购买  加入购物车  | ||
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV@1A   | ¥0.07315  | 500 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.07315  | 立即购买  加入购物车  | ||
二极管配置:独立式 稳压值(标称值):12V 稳压值(范围):11.4V~12.7V 功率:200mW   | ¥0.13255  | 20 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.13255  | 立即购买  加入购物车  | ||
二极管配置:独立式 稳压值(标称值):8.2V 稳压值(范围):7.7V~8.7V 精度:±5% 功率:500mW   | ¥0.03622  | 500 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.03621  | 立即购买  加入购物车  | ||
暂无   | ¥0.11444  | 20 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥0.11444  | 立即购买  加入购物车  |