品牌介绍
安徽富信半导体科技有限公司 是一家以自主研发设计、生产制造、销售及技术服务为主体的半导体厂商，从日本、韩国、欧美等国购置具有国际先进水平的自动化生产设备。 技术部团队拥有将近20年的设计,生产经验. 公司总部坐落于安徽省马鞍山市金蒲电子产业园，在深圳、东莞、上海、南京、香港等地设立分公司及办事处。 公司主营二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等产品的研发、生产和销售。公司产品已广泛应用于家用电器、电源及充电器、绿色照明、网络与通信、汽车电子、智能电表及仪器等领域。 公司以高品质的产品为立足点，以技术服务于市场为导向，先进优良的自动化生产装备，规范的管理组织结构，科学务实的高效决策，朝气蓬勃的高素质员工团队，可为客户提供优良的品质保证。致力于成为半导体分立器件行业的领先企业！努力为客户创造价值，为员工提供平台，为社会做出贡献！
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 连接端子种类: 插头 公母: 母接头 行业标准配合直径: 内径2.00毫米（0.079“），外径5.50毫米（0.217”） 端接: 焊料 针位数/触头数: 2根导线，3个触点 额定电流（单位：安培）: 11 A | ¥0.06972 | 66950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06972 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对串联 最大直流反向电压 (Vr): 100伏 单二极管整流平均值 (Io): 200毫安 供应商设备包装: SOT-23-3 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥0.41691 | 1404 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.41691 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 1000伏 整流平均值 (Io): 1A 反向恢复时长 (trr): 75 ns 供应商设备包装: SMA（DO-214AC） 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥0.08207 | 5000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08207 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 100伏 整流平均值 (Io): 200毫安 反向恢复时长 (trr): 50 ns 供应商设备包装: SOD-323 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥0.06936 | 8 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06936 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 200伏 整流平均值 (Io): 2A 反向恢复时长 (trr): 20纳秒 供应商设备包装: SMB/DO-214AA 工作结温: -50摄氏度~150摄氏度 | ¥1.01589 | 68 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,671.79333 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 150伏 整流平均值 (Io): 200毫安 反向恢复时长 (trr): 50 ns 供应商设备包装: SOD-323 工作结温: 150摄氏度 | ¥0.06936 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06936 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏 最大功率: 300毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.09965 | 13160 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.98959 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 标称齐纳电压 (Vz): 62 V 最大功率: 350毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOT-23 | ¥0.08895 | 57600 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08895 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.06220 | 5950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.86588 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.29678 | 53610 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29678 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,3.6A | ¥0.22782 | 59280 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22782 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4A | ¥0.32780 | 27110 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32780 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,2A | ¥0.29583 | 14650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29583 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW | ¥0.03685 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.03685 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.09709 | 15350 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09709 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V 200~400 | ¥0.15920 | 9000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15920 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.7V@2A 反向恢复时间(trr)：75ns | ¥0.12717 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12717 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 二极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.07087 | 250 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07087 | 立即购买 加入购物车 |