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品牌介绍

佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业,国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂,创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司,2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。目前已形成年产100亿只的生产规模,是华南地区主要的半导体器件生产基地之一。 公司厂区位于佛山市禅城区,厂房面积4.5万平方米。公司拥有大量先进的生产线,产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管(MOSFET)、各种开关、稳压、肖特基(SBD)、快恢复(FRD)等二极管、晶闸管(可控硅)、集成电路(IC)、LED及LED照明灯具等,产品广泛应用于家用电器、电源、IT数码、通信、新能源、汽车电子、仪器仪表、显示屏、灯饰照明、背光源等领域。 公司从1997年开始通过ISO9001质量管理体系认证,2005年通过ISO14001环境管理体系认证,2013年通过了ISO/TS16949(IATF16949)汽车行业质量管理体系标准认证,2015年通过OHSAS18001认证。目前公司建立了广东省半导体器件工程技术研究开发中心和广东省企业技术中心,2008年,“蓝箭”牌晶体管被认定为广东省名牌产品。

英文全称: BLUE ROCKET

中文全称: 蓝箭

英文简称: BLUE ROCKET

品牌地址: http://www.fsbrec.com/

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BC846
BC846
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9012-H
9012-H
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):20V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V

¥0.11173

9820

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2SC2235-Y
2SC2235-Y
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):120V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):900mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V Y(120-240)

¥0.31727

2560

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9014-C
9014-C
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):450mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V

¥0.08967

7100

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KTC3200
KTC3200
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):120V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,6V GR(200-400)

¥0.13794

6900

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MMBT5551-B
MMBT5551-B
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

¥0.05661

5950

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9013M-H
9013M-H
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):20V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):450mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V

¥0.05651

4550

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KTA1268
KTA1268
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):120V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,6V GR(200-400)

¥0.11133

5300

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2SA1037AK
2SA1037AK
暂无

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8050T-D
8050T-D
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V

¥0.16559

5010

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BC856-B
BC856-B
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V

¥0.08492

4300

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9013-H
9013-H
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):20V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V

¥0.11173

3180

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DTC143ZKA
DTC143ZKA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V HE23

¥0.09925

3120

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DTC143TKA
DTC143TKA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.11035

3920

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DTA114EKA
DTA114EKA
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V HFE:>30

¥0.11035

180

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DTA124EKA
DTA124EKA
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):30mA 集射极击穿电压(Vceo):50V HFE:>56

¥0.18023

300

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DTC114EKA
DTC114EKA
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集射极击穿电压(Vceo):50V HFE:>30

¥0.10017

0

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DTA144EKA
DTA144EKA
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V

¥0.16899

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DTA143ZKA
DTA143ZKA
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V HFE:>80

¥0.17163

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RS2MW
RS2MW
二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向恢复时间(trr):500ns

¥0.08740

10

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