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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Tc) 最大功耗: 500mW (Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.47659

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SI4114DY-T1-GE3
SI4114DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.14006

319

5-7 工作日

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合计: ¥10.14006

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IRF9610PBF
IRF9610PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.67508

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.67508

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SIE812DF-T1-GE3
SIE812DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.14687

525

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.14687

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SIJ420DP-T1-GE3
SIJ420DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.35735

500

5-7 工作日

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合计: ¥10.35735

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SIR166DP-T1-GE3
SIR166DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.35735

143

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.35735

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IRFIZ34GPBF
IRFIZ34GPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.58384

20

5-7 工作日

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合计: ¥21.58384

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SI7141DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.60025

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.60025

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IRF9620PBF
IRF9620PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.74750

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.74750

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SIR680LDP-T1-RE3
SIR680LDP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31.8A (Ta), 130A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.74511

0

5-7 工作日

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合计: ¥17.74510

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SIR668ADP-T1-RE3
SIR668ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 93.6A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.45539

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.45539

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SI3464DV-T1-GE3
SI3464DV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.6W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

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合计: ¥4.70789

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SISH112DN-T1-GE3
SISH112DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.42978

946

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合计: ¥10.42978

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SI3476DV-T1-GE3
SI3476DV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.6W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.20088

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IRLR024PBF
IRLR024PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.74750

0

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合计: ¥12.74750

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SI3424BDV-T1-GE3
SI3424BDV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、2.98W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

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合计: ¥4.70789

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SISS60DN-T1-GE3
SISS60DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.42978

335

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- +

合计: ¥10.42978

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IRFBF30STRLPBF
IRFBF30STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.16088

441

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合计: ¥27.16088

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SQJ454EP-T1_GE3
SQJ454EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.92277

0

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SIA427ADJ-T1-GE3
SIA427ADJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 19W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

0

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- +

合计: ¥4.20088

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