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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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品牌型号
描述
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SIZF906DT-T1-GE3
SIZF906DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TA)

¥12.63833

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5-7 工作日

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合计: ¥12.63833

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SI6968BEDQ-T1-E3
SI6968BEDQ-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.47176

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合计: ¥10.47176

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SQ4940AEY-T1_BE3
SQ4940AEY-T1_BE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.58300

1

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合计: ¥7.58300

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SQJQ900E-T1_GE3
SQJQ900E-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.41585

12

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合计: ¥18.41585

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SI6562CDQ-T1-GE3
SI6562CDQ-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A, 6.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.72743

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合计: ¥7.72743

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SQJ910AEP-T1_GE3
SQJ910AEP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.68841

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合计: ¥10.68841

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SQ4917EY-T1_BE3
SQ4917EY-T1_BE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.77170

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5-7 工作日

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合计: ¥11.77170

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SQJB02ELP-T1_GE3
SQJB02ELP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.30519

0

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合计: ¥8.30519

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SQ4284EY-T1_GE3
SQ4284EY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.27723

0

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合计: ¥12.27723

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SQJ912DEP-T1_GE3
SQJ912DEP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.94409

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合计: ¥7.94409

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SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.69948

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合计: ¥11.69948

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SQ1922AEEH-T1_GE3
SQ1922AEEH-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.46651

1

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合计: ¥3.46651

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SI7212DN-T1-GE3
SI7212DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.84392

0

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合计: ¥11.84392

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SI4816BDY-T1-E3
SI4816BDY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 8.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.42167

0

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合计: ¥12.42167

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SI4816BDY-T1-GE3
SI4816BDY-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 8.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.42167

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.42167

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SI4931DY-T1-E3
SI4931DY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.31625

0

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SI7252ADP-T1-GE3
SI7252ADP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.42167

0

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- +

合计: ¥12.42167

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SQ9945BEY-T1_BE3
SQ9945BEY-T1_BE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.37740

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SIA928DJ-T1-GE3
SIA928DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.61095

0

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合计: ¥3.61095

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SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.31625

0

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- +

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