品牌介绍
Transphorm，Inc.是GaN革命的全球领导者，为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有超过1000项拥有或许可的专利，是全球最大的功率GaN IP产品组合之一。Transphorm生产业界首款经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子技术超越了硅的局限性，实现了99%以上的效率、40%以上的功率密度和20%更低的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州的Goleta，在日本的Goleta和Aizu有生产业务。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥75.47195 | 619 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.47195 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: 3-PFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥77.92280 | 158 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.92280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥82.17576 | 334 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥82.17576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥95.94380 | 164 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.94380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 93A（Tc） 最大功耗: 266W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥225.40667 | 207 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥225.40667 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 13.2W（Tc） 供应商设备包装: 3-PFN（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.67108 | 488 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.67108 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 21W（Tc） 供应商设备包装: 3-PFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.97777 | 333 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.97777 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47.2A (Tc) 最大功耗: 187W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥139.84296 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥139.84296 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 178W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥239.31888 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥239.31888 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.10235 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.10235 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: PQFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥78.21114 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.21114 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 81W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.01839 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.01839 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 81W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.24382 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.24382 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 81W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.35262 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.35262 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.90697 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.90697 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.31539 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.31539 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: PQFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.78901 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.78901 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥129.92420 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.92420 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.88338 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.88338 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 3-PFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥37.46926 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.46926 | 添加到BOM 立即询价 |