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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS61DDB42M18-250M3
IS61DDB42M18-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥75.57242

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IS61QDB21M36-250M3
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥133.50113

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IS61QDB21M36-250M3L
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥41.38593

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IS61QDB22M18-250M3
IS61QDB22M18-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥73.55889

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IS61QDB22M18-250M3L
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥43.87749

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IS61QDB41M36-250M3
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

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IS61QDB42M18-250M3
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

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IS61LF102418A-7.5B3
IS61LF102418A-7.5B3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥28.56600

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IS61LF102418A-7.5B3-TR
IS61LF102418A-7.5B3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥98.30064

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IS61LF102418A-7.5TQ
IS61LF102418A-7.5TQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥554.48745

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IS61LF102418A-7.5TQ-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥24.07540

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IS61LF12836A-7.5TQI
IS61LF12836A-7.5TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥41.70462

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IS61LF12836A-7.5TQI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS61LF25636A-7.5TQI
IS61LF25636A-7.5TQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS61LF25636A-7.5TQI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS61LF51218A-7.5TQI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS61LF51218A-7.5TQI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS61LF51236A-7.5TQI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS61LF51236A-7.5TQI-TR
IS61LF51236A-7.5TQI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

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IS45S16160G-7CTLA2-TR
IS45S16160G-7CTLA2-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥59.31935

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