品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥57.85672 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,248.52576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥57.90699 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥144,767.46500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥61.49222 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥122,984.44200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) | ¥61.52844 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,533.64928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥104.03086 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,235.33277 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥61.52844 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,533.64928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13) | ¥104.08047 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥260,201.18250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥61.79432 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥154,485.80500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥61.82119 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,746.02686 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥61.88037 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,932.99691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥61.88051 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,683.09540 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥61.99720 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,695.69717 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥1.73250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,812.19709 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥155.90342 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥311,806.84600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥156.45497 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,019.67702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥168.70510 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,714.03582 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥156.77257 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥235,158.85650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥158.72214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,237.32563 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥29.71697 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,716.96700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥44.60026 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,474.04883 | 添加到BOM 立即询价 |