品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥8.97714 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,977.14000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥29.44101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58,882.02400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥29.50808 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44,262.12300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥29.53293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,532.92500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥34.73376 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69,467.52400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥34.73376 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69,467.52400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥29.53293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,532.92500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥34.73376 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86,834.40500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥24.56444 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36,846.66000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥32.99858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,985.65636 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥30.87446 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77,186.13750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥24.56444 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,564.44000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥24.56444 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,564.44000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥30.88010 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,822.44992 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.75伏~5.25伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥9.05710 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,057.10200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥24.57806 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,797.46736 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥30.98918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46,483.77300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥31.09500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77,737.50250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥31.09500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77,737.50250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥57.91836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,016.24239 | 添加到BOM 立即询价 |