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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS43TR81280B-125JBLI
IS43TR81280B-125JBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5)

¥519.65635

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IS43LR16800F-6BLI-TR
IS43LR16800F-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10)

¥120.14523

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IS43TR81280B-125JBLI-TR
IS43TR81280B-125JBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5)

¥2.94062

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IS43LR16800F-6BL-TR
IS43LR16800F-6BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10)

¥87.75498

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IS43LR32100C-6BL
IS43LR32100C-6BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥25.16184

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IS43LR32100C-6BLI
IS43LR32100C-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥202.35214

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IS61WV25616BLL-10BI
IS61WV25616BLL-10BI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥85.84285

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IS25LQ080-JVLE
IS25LQ080-JVLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

¥53.91615

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IS25LQ080-JVLE-TR
IS25LQ080-JVLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP

¥463.00963

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IS43TR85120A-125KBL
IS43TR85120A-125KBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥115.26351

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IS43TR85120A-125KBLI
IS43TR85120A-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥60.70999

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IS25LQ512B-JDLE-TR
IS25LQ512B-JDLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥64.85293

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IS43TR85120A-125KBLI-TR
IS43TR85120A-125KBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥56.50911

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IS25LQ010B-JDLE-TR
IS25LQ010B-JDLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥72.79115

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IS43TR85120A-125KBL-TR
IS43TR85120A-125KBL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥51.17833

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IS25LQ020B-JDLE-TR
IS25LQ020B-JDLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

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IS43TR85120AL-125KBL
IS43TR85120AL-125KBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥20.58432

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IS43TR85120AL-125KBLI
IS43TR85120AL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥34.33135

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IS43TR85120AL-125KBL-TR
IS43TR85120AL-125KBL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥33.25940

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IS43TR85120AL-15HBL
IS43TR85120AL-15HBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5)

¥87.78395

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