品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥519.65635 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥519.65635 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥120.14523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.14523 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥2.94062 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.94062 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥87.75498 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.75498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥25.16184 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.16184 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥202.35214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥202.35214 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥85.84285 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.84285 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP | ¥53.91615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.91615 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP | ¥463.00963 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥463.00963 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥115.26351 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.26351 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥60.70999 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.70999 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥64.85293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.85293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥56.50911 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.50911 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥72.79115 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.79115 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥51.17833 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.17833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥37.79345 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.79345 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥20.58432 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.58432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥34.33135 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.33135 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥33.25940 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.25940 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥87.78395 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.78395 | 添加到BOM 立即询价 |