品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥50.64236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.64236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥133.77636 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133.77636 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥86.75546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.75546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥13.73254 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.73254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥25.46604 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.46604 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥50.96829 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.96829 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥37.79345 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.79345 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥18.48388 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.48388 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥50.32367 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.32367 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥160.87930 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥160.87930 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥4.40368 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.40368 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥429.41706 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥429.41706 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥28.11694 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.11694 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥70.73416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.73416 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥63.78098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.78098 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥21.67076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.67076 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥46.34007 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.34007 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥37.96728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.96728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥431.41610 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥431.41610 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥45.63027 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.63027 | 添加到BOM 立即询价 |