品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥10.06763 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.06763 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥63.99826 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.99826 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥58.66749 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88,001.23500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥52.26477 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.26477 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.70549 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥53.06149 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.06149 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) | ¥58.66749 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥146,668.72500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥188.67755 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥188.67755 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥40.90790 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.90790 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥58.65300 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.65300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥122.02838 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥122.02838 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥36.67805 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.67805 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥56.49462 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.49462 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥22.16327 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.16327 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥198.39752 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥198.39752 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥56.07453 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.07453 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥458.89566 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥458.89566 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥41.42939 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.42939 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥19.29509 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.29509 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥22.46748 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.46748 | 添加到BOM 立即询价 |