品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥13.74702 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.74702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥49.77112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.77112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥29.10197 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.10197 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥39.99529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.99529 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥79.42564 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.42564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥40.51678 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.51678 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥41.87845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.87845 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥18.20865 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.20865 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥13.51525 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.51525 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥33.78089 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.78089 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥33.98369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.98369 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥34.80938 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.80938 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.11886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥25.62538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.62538 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥21.33758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.33758 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥17.02082 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.02082 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥4.33125 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.33125 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-MiniBGA (8x13) | ¥5.92469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.92469 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥25.30669 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.30669 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥108.61453 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥108.61453 | 添加到BOM 立即询价 |