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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS61NLP12836B-200TQLI-TR
IS61NLP12836B-200TQLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥54.92820

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合计: ¥43,942.55840

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IS46DR16320E-3DBLA2
IS46DR16320E-3DBLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥45.71516

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合计: ¥9,554.46781

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IS61QDB22M36A-333B4LI
IS61QDB22M36A-333B4LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥538.99648

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合计: ¥77,615.49355

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IS61QDB24M18A-300B4LI
IS61QDB24M18A-300B4LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥538.99648

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合计: ¥77,615.49355

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IS42S16320D-7TL-TR
IS42S16320D-7TL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥83.65550

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合计: ¥125,483.24250

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IS64LPS102436B-166TQLA3-TR
IS64LPS102436B-166TQLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥844.16000

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合计: ¥675,327.99600

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IS43LR32320B-6BLI-TR
IS43LR32320B-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (8x13)

¥83.65550

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合计: ¥209,138.73750

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IS64LPS204818B-166TQLA3-TR
IS64LPS204818B-166TQLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥844.16000

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合计: ¥675,327.99600

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IS61DDB22M36A-300M3L
IS61DDB22M36A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥538.99663

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合计: ¥56,594.64594

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IS61DDB24M18A-300M3L
IS61DDB24M18A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥538.99663

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合计: ¥56,594.64594

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IS61DDB42M36A-300M3L
IS61DDB42M36A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥538.99663

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IS61VVPS204818B-166B3LI
IS61VVPS204818B-166B3LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥1,013.40593

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合计: ¥145,930.45334

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IS61DDB44M18A-300M3L
IS61DDB44M18A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥538.99663

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IS61QDB24M18A-300M3L
IS61QDB24M18A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

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IS61QDB42M36A-300M3L
IS61QDB42M36A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

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IS61NLP25618A-200B3LI
IS61NLP25618A-200B3LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15)

¥71.49047

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IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR
IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥844.16000

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合计: ¥675,327.99600

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IS61QDB44M18A-300M3L
IS61QDB44M18A-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

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合计: ¥56,594.64594

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IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR
IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥844.16000

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合计: ¥675,327.99600

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IS61QDP2B42M18A-400M3L
IS61QDP2B42M18A-400M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥543.21750

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