品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥80.80179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.80179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥228.12238 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥228.12238 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥39.56072 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.56072 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥345.90642 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥345.90642 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥129.57548 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.57548 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥57.65348 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.65348 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥113.20653 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.20653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥63.08566 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.08566 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥91.50680 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥91.50680 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥25.03146 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.03146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥425.11477 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥425.11477 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥96.75066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.75066 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥48.23771 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.23771 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥50.64236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.64236 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥604.20272 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥604.20272 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥33.52014 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.52014 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥16.74559 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.74558 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥48.10734 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.10734 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥22.98897 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.98897 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥30.02906 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.02906 | 添加到BOM 立即询价 |