品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥77.45557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.45557 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥13.35591 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.35591 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥80.03405 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.03405 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥76.97754 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.97754 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥48.59986 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.59986 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥142.46784 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142.46784 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (10.5x13) | ¥45.63027 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.63027 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥40.15464 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.15464 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (10.5x13) | ¥131.15443 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.15443 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥108.23790 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥108.23790 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (10.5x13) | ¥71.21219 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.21219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥31.46316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.46316 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (10.5x13) | ¥211.08708 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥211.08708 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥26.68284 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.68284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (8x13) | ¥15.64466 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.64466 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥87.95778 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.95778 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥51.93159 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.93159 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥114.23502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥114.23502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥61.85437 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.85437 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥33.60706 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.60706 | 添加到BOM 立即询价 |