Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥120.62326 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.62326 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥55.85725 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.85725 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥24.58240 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.58240 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥33.01314 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.01314 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥13.54422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥122.43398 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥122.43398 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥63.18706 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.18706 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥57.21891 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.21891 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥134.06608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥134.06608 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥67.02580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.02580 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥148.32011 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥148.32011 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥42.25508 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.25508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥39.70558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.70558 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥21.78664 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.78664 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥228.52798 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥228.52798 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥935.37708 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥935.37708 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥88.58067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.58067 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥115.14762 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.14762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥63.80995 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.80995 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥17.18016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.18016 | 添加到BOM 立即询价 |