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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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描述
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IS66WVC2M16ALL-7010BLI
IS66WVC2M16ALL-7010BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8)

¥120.62326

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IS61DDB21M36C-300M3L
IS61DDB21M36C-300M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥55.85725

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IS43DR16160A-3DBLI
IS43DR16160A-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥24.58240

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IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8)

¥33.01314

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IS61DDB22M18C-250B4LI
IS61DDB22M18C-250B4LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15)

¥13.54422

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IS43DR16160A-3DBLI-TR
IS43DR16160A-3DBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥122.43398

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IS61DDB22M18C-250M3
IS61DDB22M18C-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥63.18706

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IS66WVC4M16ALL-7010BLI
IS66WVC4M16ALL-7010BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8)

¥57.21891

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IS43DR16160A-3DBL-TR
IS43DR16160A-3DBL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥134.06608

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合计: ¥134.06608

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IS61DDB41M36C-250M3
IS61DDB41M36C-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥67.02580

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IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8)

¥148.32011

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IS43DR16160A-5BBLI
IS43DR16160A-5BBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥42.25508

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IS61DDB41M36C-300M3LI
IS61DDB41M36C-300M3LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥39.70558

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IS66WVE1M16BLL-55BLI
IS66WVE1M16BLL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥21.78664

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IS43DR16160A-5BBLI-TR
IS43DR16160A-5BBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥228.52798

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IS61DDB42M18C-250M3
IS61DDB42M18C-250M3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥935.37708

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IS43DR16320C-25DBI
IS43DR16320C-25DBI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥88.58067

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IS43DR16320C-25DBI-TR
IS43DR16320C-25DBI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥115.14762

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IS61DDB42M18C-250M3L
IS61DDB42M18C-250M3L
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17)

¥63.80995

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IS43DR16320C-3DBI-TR
IS43DR16320C-3DBI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥17.18016

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