品牌介绍
EPC是增强型氮化镓电源管理设备的领导者。EPC是第一个在硅上引入增强模式氮化镓（eGaN®；）在DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（LiDAR）和D类音频放大器等应用中，FET作为功率MOSFET的替代品，其设备性能是最佳硅功率MOSFET的数倍。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta) 供应商设备包装: Die Outline (11-Solder Bar) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.46580 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.46580 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥6.19841 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.19841 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥22.90485 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.90485 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.92958 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.92958 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥31.65113 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.65113 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥24.29040 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.29040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.66179 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.66179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.20951 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.20951 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 负载的类型: 归纳 技术: MOSFET（金属氧化物） 输出配置: 低端 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 10-BGA（2.9x1.1） 安装类别: 表面安装 | ¥45.49579 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.49579 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 负载的类型: 电感式、电容式 输出配置: 半桥 电源电压: 11伏~13伏 供应商设备包装: 12-LGA（3.85x2.59） 安装类别: 表面安装 | ¥70.43206 | 30228 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.43206 | 添加到BOM 立即询价 |