品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc
中文全称: IDT公司
英文简称: IDT
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥103.08717 | 216 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,164.83065 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥103.79076 | 211 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥103.79076 | 186 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥103.79076 | 183 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥103.79076 | 133 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥103.79076 | 123 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥103.79076 | 116 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥103.79076 | 107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥103.79076 | 104 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.60590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥4.34574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥482.37714 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥223.22618 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥786.14437 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.23292 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,465.52839 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.23292 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥69.19421 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,453.07831 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,387.88450 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥81.61637 | 2672 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,713.94381 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,484.93936 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥4.34574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥582.32916 | 添加到BOM 立即询价 |