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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
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71V016SA12PHI
71V016SA12PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.74990

0

5-7 工作日

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合计: ¥333.24583

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71V016SA15Y
71V016SA15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥7.74990

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,921.97594

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71T75602S200BGG
71T75602S200BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.72351

214

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,195.32299

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71V424S15YI
71V424S15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥14.53650

0

5-7 工作日

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合计: ¥145.36500

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71V25761YS200PFG
71V25761YS200PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,372.99133

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71V416YS10PHG
71V416YS10PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥713.35322

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71V424S10Y
71V424S10Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,950.80269

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71V424L10YI
71V424L10YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,717.87102

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71V424S15Y
71V424S15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,979.91914

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6116SA45TPG
6116SA45TPG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥20.28012

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,926.61140

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71V321S35J
71V321S35J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥60.40579

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,449.73886

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71V016SA15PH
71V016SA15PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.74990

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,580.98021

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71V256SA10PZ
71V256SA10PZ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP

¥7.74990

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥154.99806

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71256SA35SOG1
71256SA35SOG1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥8.18448

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,882.42971

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71256L25YG
71256L25YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥24.33614

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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71V2546S133PFG
71V2546S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,220.50108

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7164S20TPGI
7164S20TPGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥29.76832

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,428.87931

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71V3556S100PFG
71V3556S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,547.95259

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71V3559S85PFG
71V3559S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥29.76832

0

5-7 工作日

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合计: ¥654.90302

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71V416S12YG
71V416S12YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥29.97967

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,828.75969

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