Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。
英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc
中文全称: IDT公司
英文简称: IDT
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9) | ¥31.43419 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,540.27511 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥31.43419 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥345.77605 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥31.86876 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.94444 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥32.30333 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,196.62671 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9) | ¥32.30333 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥452.24668 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥33.38977 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥801.35446 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9) | ¥33.38977 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥400.67723 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥33.82434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,150.02766 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥33.82434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥473.54080 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥33.82434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥811.78423 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥33.82434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,048.55463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥34.40378 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥34.40378 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥35.27292 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥564.36677 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥36.14207 | 54 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,951.67183 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥36.76205 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,205.72294 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥57.50863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,667.75015 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13) | ¥72.86357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,602.99863 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥97.05486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,038.15206 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥103.79076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥934.11681 | 添加到BOM 立即询价 |