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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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71V016SA20PHG8
71V016SA20PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.15637

0

5-7 工作日

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合计: ¥19,734.54900

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71V65703S85PFGI
71V65703S85PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥111.03800

0

5-7 工作日

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合计: ¥23,984.20865

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71V2546S100BGI8
71V2546S100BGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥66.64699

0

5-7 工作日

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合计: ¥66,646.99300

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71V016SA12PHG8
71V016SA12PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.15637

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,734.54900

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71V65703S85PFGI8
71V65703S85PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥111.58932

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2-3 工作日

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71V2546S100BGI
71V2546S100BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥66.64721

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合计: ¥11,196.73128

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71V30L35TFGI
71V30L35TFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)

¥143.21234

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5-7 工作日

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合计: ¥40,099.45548

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71V124SA10PHG8
71V124SA10PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥21.87356

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.87356

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71V016SA10BF
71V016SA10BF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-CABGA (7x7)

¥28.23319

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5-7 工作日

- +

合计: ¥13,438.99654

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7028L15PFG
7028L15PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥761.72478

12

2-3 工作日

- +

合计: ¥761.72478

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7164L55TDB
7164L55TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥187.24055

0

5-7 工作日

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合计: ¥31,643.65363

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71V25761S166PFGI8
71V25761S166PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥56.16249

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2-3 工作日

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合计: ¥56,162.49000

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71V65603S100BG
71V65603S100BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

0

5-7 工作日

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合计: ¥41,454.15120

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71V65603S133BG
71V65603S133BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41,454.15120

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71V65603S133BGG
71V65603S133BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥164.50060

0

5-7 工作日

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合计: ¥41,454.15120

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R1LP0408DSP-7SI#B0
R1LP0408DSP-7SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥81.33777

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥81.33777

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71V2556SA166BG
71V2556SA166BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥65.07441

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,932.50155

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71V2556S133PFGI
71V2556S133PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥68.21957

0

5-7 工作日

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合计: ¥9,823.61822

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71V3556SA166BG
71V3556SA166BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥65.07441

0

5-7 工作日

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合计: ¥10,932.50155

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R1RW0416DSB-2PR#D0
R1RW0416DSB-2PR#D0
STANDARD SRAM, 256KX16, 12NS

¥159.05408

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥795.27042

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