品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 供应商设备包装: 8-PSOP | ¥6.80833 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) | ¥8.61905 | 210000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK | ¥8.61905 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 供应商设备包装: 8-PSOP | ¥6.80833 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥8.61905 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN3333 (3.3x3.3) | ¥8.61905 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥19.04883 | 400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.61511 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥3.11445 | 363000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | ¥5.93918 | 265000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 1950000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.61905 | 2600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.00085 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.34574 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK (3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 2890 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.90722 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.93918 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.93918 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 87000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 227950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Ta）、115W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥13.32694 | 7547 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.29057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 1.2W（Ta）、66W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.67833 | 添加到BOM 立即询价 |