品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH DFN | ¥45.07981 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.07981 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH DFN | ¥12.41433 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.41433 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH DFN | ¥27.66788 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.66788 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH DFN | ¥6.64898 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.64898 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、62W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.42930 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.42930 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、62W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度（TJ） | ¥44.63075 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.63075 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、36W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.54662 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.54662 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 4.1W (Ta), 24W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.65732 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.65732 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A（Ta）、39A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、26W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.54182 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.54182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.84267 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.84267 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、36W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.25067 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.25067 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、24A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、23W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.75767 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.75767 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 60V TOLLA | ¥34.30237 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.30237 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、60A（Tc） 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、60A（Tc） 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥95.86702 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.86702 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 600V 2A TO252 | ¥30.43467 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.43467 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34.5A (Ta), 54A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.66011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.66011 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.26563 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.26563 | 添加到BOM 立即询价 |