品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.15660 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,891.50250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26.5A（Ta）、85A（Tc） 最大功耗: 7.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.48780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,463.40000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.81879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,865.77200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.15660 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,048.10350 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 105伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 2.3W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.81879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,046.98000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta), 25A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.81879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,046.98000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、70A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、90W（Tc） 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.81879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,865.77200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.12366 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.12366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Ta), 70A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 24W (Tc) 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.81879 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,046.98000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 38.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.81617 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,816.16600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 26A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），35W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.81856 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,455.67100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.82971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,489.13300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、70A（Tc） 最大功耗: 5.6W (Ta), 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.16776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,503.26500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH | ¥3.16776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,503.26500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 92A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.55168 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,655.04900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、85A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta），83W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.68084 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,042.52600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.08593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,429.64000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 27A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、42W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.85202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,852.01900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,852.01900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 192W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.21863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,218.62700 | 添加到BOM 立即询价 |